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DMG1016UDW-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 100 | NT$4.940 | NT$494.00 |
| 總計 價格 | NT$494.00 | ||
條帶式包裝
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 100+ | NT$4.940 |
| 500+ | NT$2.940 |
| 1500+ | NT$2.880 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$2.930 |
| 9000+ | NT$2.490 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMG1016UDW-7复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼
整卷4318482
條帶式包裝2543527
條帶式包裝2543527RL
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel845mA
Continuous Drain Current Id P Channel845mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.3ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.3ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel330mW
Power Dissipation P Channel330mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
845mA
Drain Source On State Resistance P Channel
0.3ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
330mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
845mA
Drain Source On State Resistance N Channel
0.3ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.005