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DMHC6070LSD-13
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 60 V, 60 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.1 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$90.910 | NT$90.91 |
| 總計 價格 | NT$90.91 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$90.910 |
| 10+ | NT$52.010 |
| 100+ | NT$39.660 |
| 500+ | NT$38.870 |
| 1000+ | NT$38.080 |
| 5000+ | NT$37.290 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMHC6070LSD-13复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3944082RL
條帶式包裝3944082
技術資料表
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.6W
Power Dissipation P Channel1.6W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.6W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.1ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
1.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001