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DMN1019USN-7
Power MOSFET, N Channel, 12 V, 9.3 A, 0.01 ohm, SC-59, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$13.180 | NT$65.90 |
| 總計 價格 | NT$65.90 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$13.180 |
| 50+ | NT$10.820 |
| 100+ | NT$8.450 |
| 500+ | NT$5.710 |
| 1500+ | NT$5.600 |
整卷
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 3000+ | NT$4.840 |
| 9000+ | NT$4.750 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMN1019USN-7复制
製造商標準前置時間12 週
訂購代碼
整卷3127593
複捲式3127325RL
條帶式包裝3127325
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id9.3A
Drain Source On State Resistance0.01ohm
Transistor Case StyleSC-59
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation680mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
產品總覽
警告
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技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.3A
Transistor Case Style
SC-59
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
680mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.01ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
DMN1019USN-7 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000121