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DMN2055UW-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3.1 A, 0.035 ohm, SOT-323, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$15.540 | NT$77.70 |
| 總計 價格 | NT$77.70 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$15.540 |
| 10+ | NT$9.470 |
| 100+ | NT$5.950 |
| 500+ | NT$4.200 |
| 1000+ | NT$2.750 |
| 5000+ | NT$2.700 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMN2055UW-7复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3589322RL
條帶式包裝3589322
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-323
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation520mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
Transistor Case Style
SOT-323
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
520mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000121