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DMN62D1SFB-7B
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 410 mA, 1.4 ohm, X1-DFN1006, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 複捲式 | 5 | NT$19.460 | NT$97.30 |
| 總計 價格 | NT$97.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$19.460 |
| 10+ | NT$8.620 |
| 100+ | NT$7.530 |
| 500+ | NT$7.190 |
| 1000+ | NT$4.720 |
| 5000+ | NT$4.090 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMN62D1SFB-7B复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3943667RL
條帶式包裝3943667
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id410mA
Drain Source On State Resistance1.4ohm
Transistor Case StyleX1-DFN1006
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation470mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
410mA
Transistor Case Style
X1-DFN1006
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
470mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001