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DMP65H11D0HSS-13
Power MOSFET, P Channel, 600 V, 270 mA, 8.9 ohm, SOIC, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$27.660 | NT$27.66 |
| 總計 價格 | NT$27.66 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$27.660 |
| 10+ | NT$24.890 |
| 100+ | NT$23.420 |
| 500+ | NT$21.760 |
| 1000+ | NT$20.280 |
| 5000+ | NT$20.150 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMP65H11D0HSS-13复制
訂購代碼
複捲式3828429RL
條帶式包裝3828429
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id270mA
Drain Source On State Resistance8.9ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.9W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
270mA
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.9W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
8.9ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0001