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DMT3009UDT-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 10.6 A, 10.6 A, 0.0111 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$46.570 | NT$46.57 |
| 總計 價格 | NT$46.57 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$46.570 |
| 10+ | NT$28.690 |
| 100+ | NT$18.900 |
| 500+ | NT$14.860 |
| 1000+ | NT$13.310 |
| 5000+ | NT$11.750 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMT3009UDT-7复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3619754RL
條帶式包裝3619754
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel10.6A
Continuous Drain Current Id P Channel10.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0111ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleV-DFN3030
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.1W
Power Dissipation P Channel1.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
10.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.1W
Product Range
-
MSL
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
10.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0111ohm
Transistor Case Style
V-DFN3030
Power Dissipation N Channel
1.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Taiwan
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001