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DMT8012LFG-7
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 35 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$63.600 | NT$63.60 |
| 總計 價格 | NT$63.60 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$63.600 |
| 10+ | NT$30.050 |
| 100+ | NT$26.760 |
| 500+ | NT$23.720 |
| 1000+ | NT$17.520 |
| 5000+ | NT$17.170 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號DMT8012LFG-7复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3943890RL
條帶式包裝3943890
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id35A
Drain Source On State Resistance0.013ohm
Transistor Case StylePowerDI 3333
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation30W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35A
Transistor Case Style
PowerDI 3333
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
30W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.013ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001