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VN10LF
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$28.880 | NT$144.40 |
| 總計 價格 | NT$144.40 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$28.880 |
| 50+ | NT$18.940 |
| 100+ | NT$13.190 |
| 500+ | NT$10.800 |
| 1500+ | NT$9.310 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號VN10LF复制
製造商標準前置時間28 週
訂購代碼
複捲式9526234RL
條帶式包裝9526234
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id150mA
Drain Source On State Resistance5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation330mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
VN10LF is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 60V
- Continuous drain current at Tamb=25°C is 150mA
- Pulsed drain current is 3A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 330mW
- Static drain source on state resistance is 5ohm max at VGS=10V, ID=500mA, Tamb=25°C
- Zero gate voltage drain current is 10µA max at VDS=60 V, VGS=0V, Tamb=25°C
- Turn-on/off time is 10ns maximum at VDD ≈15V, ID=600mA, Tamb=25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
150mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
330mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000033