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ZXM61N02F
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.7 A, 0.18 ohm, SOT-23, Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$12.860 | NT$64.30 |
| 總計 價格 | NT$64.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$12.860 |
| 50+ | NT$8.530 |
| 100+ | NT$6.250 |
| 500+ | NT$5.140 |
| 1500+ | NT$4.320 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號ZXM61N02F复制
製造商標準前置時間62 週
訂購代碼
複捲式9525270RL
條帶式包裝9525270
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.18ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max700mV
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
ZXM61N02F 的替代選擇
找到 2 個產品
產品總覽
The ZXM61N02F is an N-channel Enhancement Mode MOSFET utilizes an unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage applications.
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- Low threshold
- Low gate drive
應用
Power Management, Motor Drive & Control
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
700mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000033