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ZXMC10A816N8TC
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 100 V, 100 V, 2.1 A, 2.1 A, 0.23 ohm
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$78.560 | NT$78.56 |
| 總計 價格 | NT$78.56 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$78.560 |
| 10+ | NT$48.670 |
| 100+ | NT$31.890 |
| 500+ | NT$31.260 |
| 1000+ | NT$30.620 |
| 5000+ | NT$29.980 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號ZXMC10A816N8TC复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3405249RL
條帶式包裝3405249
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
Continuous Drain Current Id N Channel2.1A
Continuous Drain Current Id P Channel2.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.23ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.235ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.235ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.23ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0002