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ZXMC6A09DN8TA
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.045 ohm
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可供訂購
製造商標準交貨時間：43 週
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$134.520 | NT$134.52 |
| 總計 價格 | NT$134.52 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$134.520 |
| 10+ | NT$67.530 |
| 100+ | NT$61.040 |
| 500+ | NT$59.820 |
| 1000+ | NT$58.600 |
品項附註
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產品訊息
製造商DIODES INC.
製造商產品編號ZXMC6A09DN8TA复制
製造商標準前置時間43 週
訂購代碼
複捲式3944179RL
條帶式包裝3944179
技術資料表
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel0.045ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.055ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.1W
Power Dissipation P Channel2.1W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.055ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.1W
Product Range
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.045ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
2.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001