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DI200N10D2
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 200 A, 2300 µohm, TO-263AB (D2PAK), Surface Mount
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$126.300 | NT$126.30 |
| 總計 價格 | NT$126.30 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$126.300 |
| 10+ | NT$57.760 |
| 100+ | NT$46.610 |
| 500+ | NT$39.510 |
| 1000+ | NT$38.720 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商DIOTEC
製造商產品編號DI200N10D2复制
製造商標準前置時間10 週
訂購代碼
複捲式4710404RL
條帶式包裝4710404
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source On State Resistance2300µohm
Transistor Case StyleTO-263AB (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation340W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
200A
Transistor Case Style
TO-263AB (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
340W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002747