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DIT120N08
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 120 A, 6000 µohm, TO-220AB, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | NT$85.370 |
| 10+ | NT$41.720 |
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| 500+ | NT$30.040 |
| 1000+ | NT$29.440 |
| 5000+ | NT$28.840 |
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產品訊息
製造商產品編號DIT120N08复制
製造商標準前置時間11 週
訂購代碼4552639
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance6000µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation220W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
220W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
6000µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：Y-Ex
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.0028