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G3R350MT12J
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-263 (D2PAK)
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產品訊息
製造商GENESIC
製造商產品編號G3R350MT12J复制
訂購代碼3598645
Product RangeG3R
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id11A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max2.69V
Power Dissipation75W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeG3R
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
11A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
2.69V
Operating Temperature Max
175°C
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
75W
Product Range
G3R
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：United States
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001393