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AIMBG120R080M1XTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263
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製造商INFINEON
製造商產品編號AIMBG120R080M1XTMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4216493RL
條帶式包裝4216493
Product RangeCoolSiC Trench Series
其他名稱AIMBG120R080M1, SP005411515
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$298.460 | NT$298.46 |
| 總計 價格 | NT$298.46 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$298.460 |
| 10+ | NT$163.300 |
| 100+ | NT$150.360 |
| 500+ | NT$150.040 |
| 1000+ | NT$141.630 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號AIMBG120R080M1XTMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4216493RL
條帶式包裝4216493
Product RangeCoolSiC Trench Series
其他名稱AIMBG120R080M1, SP005411515
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation168W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
30A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
168W
Product Range
CoolSiC Trench Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004627