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AIMCQ120R030M1TXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 78 A, 1.2 kV, 0.038 ohm, HDSOP
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製造商INFINEON
製造商產品編號AIMCQ120R030M1TXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
條帶式包裝4824186
條帶式包裝4824186RL
Product RangeCoolSiC Series
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$517.680 |
| 5+ | NT$441.080 |
| 10+ | NT$364.480 |
| 50+ | NT$307.900 |
| 100+ | NT$301.750 |
| 250+ | NT$295.590 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號AIMCQ120R030M1TXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
條帶式包裝4824186
條帶式包裝4824186RL
Product RangeCoolSiC Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id78A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.038ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation417W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
78A
Drain Source On State Resistance
0.038ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
417W
Product Range
CoolSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001