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AIMW120R080M1XKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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製造商INFINEON
製造商產品編號AIMW120R080M1XKSA1
訂購代碼3768883
Product RangeCoolSiC Trench
其他名稱SP004807194, AIMW120R080M1
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$444.480 |
| 5+ | NT$367.960 |
| 10+ | NT$291.430 |
| 50+ | NT$291.270 |
| 100+ | NT$291.100 |
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製造商INFINEON
製造商產品編號AIMW120R080M1XKSA1
訂購代碼3768883
Product RangeCoolSiC Trench
其他名稱SP004807194, AIMW120R080M1
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id33A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation150W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
150W
Product Range
CoolSiC Trench
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.01134