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AIMZH120R020M1TXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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製造商INFINEON
製造商產品編號AIMZH120R020M1TXKSA1
訂購代碼4335782
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱AIMZH120R020M1T, SP005586174
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$690.910 |
| 5+ | NT$646.560 |
| 10+ | NT$602.210 |
| 50+ | NT$557.860 |
| 100+ | NT$513.510 |
| 250+ | NT$469.150 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號AIMZH120R020M1TXKSA1
訂購代碼4335782
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱AIMZH120R020M1T, SP005586174
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.025ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
100A
Drain Source On State Resistance
0.025ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
429W
Product Range
CoolSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001