列印頁面
BAT1504RE6152HTSA1
RF Schottky Diode, Dual Series, 4 V, 110 mA, 300 mV, 0.25 pF, SOT-23
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號BAT1504RE6152HTSA1复制
製造商標準前置時間32 週
訂購代碼
複捲式2787837RL
條帶式包裝2787837
其他名稱BAT 15-04R E6152, SP000960186
您的零件号
509 有存貨
6,000 即日起您可預購補貨
509 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$30.830 | NT$154.15 |
| 總計 價格 | NT$154.15 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$30.830 |
| 10+ | NT$19.140 |
| 100+ | NT$12.340 |
| 500+ | NT$9.410 |
| 1000+ | NT$7.230 |
| 5000+ | NT$6.520 |
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號BAT1504RE6152HTSA1复制
製造商標準前置時間32 週
訂購代碼
複捲式2787837RL
條帶式包裝2787837
其他名稱BAT 15-04R E6152, SP000960186
技術資料表
Diode ConfigurationDual Series
Reverse Voltage4V
Forward Current110mA
Forward Voltage300mV
Diode Capacitance0.25pF
Diode Case StyleSOT-23
No. of Pins3 Pin
Diode MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
Silicon RF Schottky diode suitable for use with mixers and detectors in satellite systems, low noise blocks for Ku bands and security systems.
- Silicon low barrier N-type device with integrated guard ring on-chip for over-voltage protection
- Low inductance and low capacitance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Reverse series pair pin configuration
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技術規格
Diode Configuration
Dual Series
Forward Current
110mA
Diode Capacitance
0.25pF
No. of Pins
3 Pin
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Reverse Voltage
4V
Forward Voltage
300mV
Diode Case Style
SOT-23
Diode Mounting
Surface Mount
Product Range
-
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000051