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BFR360FH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 6 V, 14 GHz, 210 mW, 35 mA, TSFP
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製造商INFINEON
製造商產品編號BFR360FH6327XTSA1复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式2480682RL
條帶式包裝2480682
其他名稱BFR 360F H6327, SP000750428
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$10.570 | NT$52.85 |
| 總計 價格 | NT$52.85 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$10.570 |
| 10+ | NT$6.470 |
| 100+ | NT$5.160 |
| 500+ | NT$4.900 |
| 1000+ | NT$4.130 |
| 5000+ | NT$4.010 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號BFR360FH6327XTSA1复制
製造商標準前置時間20 週
訂購代碼
複捲式2480682RL
條帶式包裝2480682
其他名稱BFR 360F H6327, SP000750428
技術資料表
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max6V
Transition Frequency14GHz
Power Dissipation210mW
Continuous Collector Current35mA
Transistor Case StyleTSFP
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min90hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BFR 360F H6327 is a NPN Silicon RF Transistor for low-noise amplifier for low current applications. The device is suitable for amplifier and oscillator applications in RF front-end. The collector design of the device supports 5V supply voltage.
- Low noise figure
應用
Industrial, Wireless, Power Management
技術規格
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
14GHz
Continuous Collector Current
35mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
6V
Power Dissipation
210mW
Transistor Case Style
TSFP
DC Current Gain hFE Min
90hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000008