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BSS126H6327XTSA2
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 21 mA, 500 ohm, SOT-23, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號BSS126H6327XTSA2复制
製造商標準前置時間34 週
訂購代碼
EACH 2212899
EACH 2212899RL
其他名稱BSS126 H6327, SP000919334
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$6.260 |
| 10+ | NT$5.630 |
| 100+ | NT$5.300 |
| 500+ | NT$4.930 |
| 1000+ | NT$4.600 |
| 5000+ | NT$4.420 |
價格Each
最少: 5
多項: 5
NT$31.30
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號BSS126H6327XTSA2复制
製造商標準前置時間34 週
訂購代碼
EACH 2212899
EACH 2212899RL
其他名稱BSS126 H6327, SP000919334
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id21mA
Drain Source On State Resistance500ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSS126 H6327 is a N-channel depletion-mode SIPMOS® Small-Signal-Transistor with 600VDS drain source voltage. Areas of application include power supply start-up power, overvoltage protection, in-rush-current limiter, off-line voltage reference. Also suitable for automotive applications.
- dV/dt rated
- Pb-free lead plating
- Qualified according to AEC Q101
- Halogen-free
應用
Automotive, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices, Communications & Networking
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
500ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000272