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BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET, P CH, -30V, -2A, SOT-23-3
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號BSS308PEH6327XTSA1
訂購代碼2432719
其他名稱BSS308PE H6327, SP000928942
技術資料表
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.08ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSS308PE H6327 is an OptiMOS™ P3 P-channel Small Signal Transistor with enhancement mode and logic level (4.5V rated).
- ±20V Gate-source voltage
- 260°C Soldering temperature
- AEC-Q101 Qualified
- ESD protection
應用
Power Management, Automotive, Consumer Electronics, Motor Drive & Control
技術規格
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
BSS308PEH6327XTSA1 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.004536