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BSS806NEH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號BSS806NEH6327XTSA1复制
製造商標準前置時間30 週
訂購代碼
條帶式包裝2480654
條帶式包裝2480654RL
其他名稱BSS806NE H6327 , SP000999336
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$13.960 |
| 50+ | NT$11.400 |
| 100+ | NT$8.840 |
| 500+ | NT$4.880 |
| 1500+ | NT$4.790 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 5
多項: 5
NT$69.80
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號BSS806NEH6327XTSA1复制
製造商標準前置時間30 週
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條帶式包裝2480654
條帶式包裝2480654RL
其他名稱BSS806NE H6327 , SP000999336
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
- N-channel Optima's™-2 small signal transistor
- Enhancement mode
- Ultra-logic level (1.8V rated)
- ESD protected
- Avalanche rated
- Qualified according to AEC Q101
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000008