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BSS806NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.3 A, 0.057 ohm, SOT-23, Surface Mount
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製造商INFINEON
製造商產品編號BSS806NH6327XTSA1复制
製造商標準前置時間45 週
訂購代碼
複捲式2443469RL
條帶式包裝2443469
其他名稱BSS806N H6327, SP000928952
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 5 | NT$9.390 | NT$46.95 |
| 總計 價格 | NT$46.95 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 5+ | NT$9.390 |
| 50+ | NT$6.610 |
| 100+ | NT$5.730 |
| 500+ | NT$4.020 |
| 1500+ | NT$3.230 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號BSS806NH6327XTSA1复制
製造商標準前置時間45 週
訂購代碼
複捲式2443469RL
條帶式包裝2443469
其他名稱BSS806N H6327, SP000928952
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max550mV
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
The BSS806N H6327 is a N-channel OptiMOS™2 enhancement-mode Small Signal Transistor offers 1.8V rated ultra logic level.
- Halogen-free
應用
Industrial, Power Management
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
550mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
技術文件 (1)
BSS806NH6327XTSA1 的替代選擇
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000033