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EVAL1EDFG1HBGANTOBO1

Evaluation Board, CoolGaN HEMT Transistors, Half-Bridge Configuration, EiceDRIVER, 600V

INFINEON EVAL1EDFG1HBGANTOBO1

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INFINEON INFINEON
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EVAL1EDFG1HBGANTOBO1
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CoolGaN™ 600V e-mode HEMT half-bridge evaluation platform featuring GaN EiceDRIVER™. This evaluation board enables easy, rapid setup and test of CoolGaN™ transistors. The generic topology can be configured for boost or buck operation, pulse testing or continuous full-power operation. Test points provide easy access to connect signals to an oscilloscope to measure the switching performance of CoolGaN™ transistors and gate driver. This board saves the user from having to design their own gate driver and power circuit to evaluate gallium nitride transistors. It provides a platform to evaluate GaN in the universal half-bridge topology as a building block to nearly all converter and inverter applications.
  • Simple GaN half-bridge with dedicated GaN driver Ics
  • Capable of multi-MHz switching frequencies
  • Zero reverse-recovery, can shift between hard or soft-switching
  • GaN transistors feature topside cooling for high power dissipation
  • Easy setup and use
  • Multiple configurations possible
  • Evaluate high-frequency capabilities of GaN
  • Evaluate waveforms with low ringing, overshoot, EMI
  • Enables easy evaluation at multi-kilowatt power levels

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:
Infineon

:
1EDF5673K, 1EDF5673F & 1EDS5663H

:
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:
Isolated Gate Driver

:
Eval Board GaN EiceDRIVER

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