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F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Three Level, Quad N Channel, 95 A, 1.2 kV, 8300 µohm, Module
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1
訂購代碼4759600
Product RangeEasyPACK Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationThree Level
Channel TypeQuad N Channel
Continuous Drain Current Id95A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance8300µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins29Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Three Level
Continuous Drain Current Id
95A
Drain Source On State Resistance
8300µohm
No. of Pins
29Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Quad N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
EasyPACK Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001