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FF200R12KE3HOSA1
IGBT Module, Dual, 295 A, 1.7 V, 1.05 kW, 125 °C, Module
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF200R12KE3HOSA1复制
製造商標準前置時間32 週
訂購代碼2726122
其他名稱FF200R12KE3, SP000100735
技術資料表
IGBT ConfigurationDual
Continuous Collector Current295A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Power Dissipation1.05kW
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
IGBT Configuration
Dual
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Continuous Collector Current
295A
Power Dissipation
1.05kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
FF200R12KE3HOSA1 的替代選擇
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.018597