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![INFINEON FF200R17KE3HOSA1 IGBT Module, Dual [Half Bridge], 310 A, 2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module](https://tw.element14.com/productimages/standard/en_GB/2726122-40.jpg)
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF200R17KE3HOSA1复制
製造商標準前置時間14 週
訂購代碼2726125
Product Range62mm C
其他名稱FF200R17KE3, SP000100775
技術資料表
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current310A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation1.25kW
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.7kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
- 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT³ and Emitter Controlled³ diode
警告
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技術規格
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Continuous Collector Current
310A
Power Dissipation
1.25kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.7kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Hungary
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Hungary
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.456767