列印頁面
FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 4000 µohm, Module
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號FF4MR12W2M1HB70BPSA1
訂購代碼4313263
Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
其他名稱FF4MR12W2M1H_B70, SP005749125
您的零件号
技術資料表
6 有存貨
需要更多？
6 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$6,405.660 |
| 5+ | NT$6,378.350 |
| 10+ | NT$6,362.550 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$6,405.66
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF4MR12W2M1HB70BPSA1
訂購代碼4313263
Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
其他名稱FF4MR12W2M1H_B70, SP005749125
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance4000µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins36Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeEasyDUAL 2B CoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
4000µohm
No. of Pins
36Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyDUAL 2B CoolSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.039