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FF6MR12KM1HPHPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, Dual N Channel, 175 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Module
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製造商INFINEON
製造商產品編號FF6MR12KM1HPHPSA1复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼4305733
Product Range62mm C Series
其他名稱FF6MR12KM1HP, SP005861603
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號FF6MR12KM1HPHPSA1复制
製造商標準前置時間16 週
訂購代碼4305733
Product Range62mm C Series
其他名稱FF6MR12KM1HP, SP005861603
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id175A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance5500µohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max175°C
Product Range62mm C Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
175A
Drain Source On State Resistance
5500µohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
-
Product Range
62mm C Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.37376