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GS66508TMRXUSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 30 A, 0.063 ohm, 6.1 nC, GaNPX, Surface Mount
不再生產
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號GS66508TMRXUSA1复制
訂購代碼4715921
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.063ohm
Typical Gate Charge6.1nC
Transistor Case StyleGaNPX
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins4Pins
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.063ohm
Transistor Case Style
GaNPX
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
30A
Typical Gate Charge
6.1nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Thailand
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001