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IGK080B041SXTSA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 30 A, 5.3 nC, UFWLB, Surface Mount
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$57.300 |
| 10+ | NT$27.130 |
| 100+ | NT$24.180 |
| 500+ | NT$19.000 |
| 1000+ | NT$18.620 |
| 5000+ | NT$18.240 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IGK080B041SXTSA1复制
製造商標準前置時間18 週
訂購代碼4919144
Product RangeCoolGaN BDS Series
技術資料表
Drain Source Voltage Vds-
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance-
Typical Gate Charge5.3nC
Transistor Case StyleUFWLB
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins16Pins
Product RangeCoolGaN BDS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
-
Drain Source On State Resistance
-
Transistor Case Style
UFWLB
No. of Pins
16Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
30A
Typical Gate Charge
5.3nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN BDS Series
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (04-Feb-2026)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001