列印頁面
IGLD65R055D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Surface Mount
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IGLD65R055D2AUMA1
訂購代碼4680830
Product RangeCoolGaN G5 Series
其他名稱IGLD65R055D2, SP005825087
您的零件号
技術資料表
2,260 有存貨
需要更多？
2260 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$221.370 |
| 10+ | NT$161.860 |
| 100+ | NT$130.800 |
| 500+ | NT$116.410 |
| 1000+ | NT$106.120 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
NT$221.37
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IGLD65R055D2AUMA1
訂購代碼4680830
Product RangeCoolGaN G5 Series
其他名稱IGLD65R055D2, SP005825087
技術資料表
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge4.7nC
Transistor Case StyleLSON
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeCoolGaN G5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
LSON
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
4.7nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Germany
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:待通知
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001