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IMBG40R011M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 133 A, 400 V, 0.0144 ohm, TO-263
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG40R011M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4538818RL
條帶式包裝4538818
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
其他名稱IMBG40R011M2H, SP005976260
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$606.270 | NT$606.27 |
| 總計 價格 | NT$606.27 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$606.270 |
| 5+ | NT$518.650 |
| 10+ | NT$431.030 |
| 50+ | NT$404.350 |
| 100+ | NT$377.670 |
| 250+ | NT$370.120 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG40R011M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4538818RL
條帶式包裝4538818
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
其他名稱IMBG40R011M2H, SP005976260
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id133A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0144ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
IMBG40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 133A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
133A
Drain Source On State Resistance
0.0144ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
429W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001