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IMBG65R060M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34.9 A, 650 V, 0.055 ohm, TO-263 (D2PAK)
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG65R060M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4640389RL
條帶式包裝4640389
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
其他名稱IMBG65R060M2H, SP006051147
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$271.170 | NT$271.17 |
| 總計 價格 | NT$271.17 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$271.170 |
| 10+ | NT$165.140 |
| 100+ | NT$146.560 |
| 500+ | NT$137.450 |
| 1000+ | NT$122.930 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG65R060M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4640389RL
條帶式包裝4640389
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
其他名稱IMBG65R060M2H, SP006051147
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34.9A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.055ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation148W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34.9A
Drain Source On State Resistance
0.055ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
148W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001