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IMBG65R083M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 28 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-263
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG65R083M1HXTMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式3928612RL
條帶式包裝3928612
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
其他名稱SP005539181, IMBG65R083M1H
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$167.640 | NT$167.64 |
| 總計 價格 | NT$167.64 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$167.640 |
| 10+ | NT$150.880 |
| 100+ | NT$141.930 |
| 500+ | NT$131.880 |
| 1000+ | NT$122.930 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMBG65R083M1HXTMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式3928612RL
條帶式包裝3928612
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
其他名稱SP005539181, IMBG65R083M1H
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id28A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.083ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation126W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
28A
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
126W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001588