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IMLT40R015M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, HDSOP
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMLT40R015M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
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條帶式包裝4803606
條帶式包裝4803606RL
Product RangeCoolSiC G2 Series
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$453.330 |
| 5+ | NT$385.110 |
| 10+ | NT$316.880 |
| 50+ | NT$288.110 |
| 100+ | NT$259.330 |
| 250+ | NT$254.150 |
價格Each (Supplied on Cut Tape)
最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
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製造商標準前置時間54 週
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條帶式包裝4803606
條帶式包裝4803606RL
Product RangeCoolSiC G2 Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0191ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins16Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation341W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source On State Resistance
0.0191ohm
No. of Pins
16Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
341W
Product Range
CoolSiC G2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001