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IMLT65R075M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 34.7 A, 650 V, 0.095 ohm, HDSOP
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMLT65R075M2HXTMA1复制
訂購代碼
複捲式4803617RL
條帶式包裝4803617
Product RangeCoolSiC G2 Series
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$176.710 | NT$176.71 |
| 總計 價格 | NT$176.71 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$176.710 |
| 10+ | NT$130.820 |
| 100+ | NT$104.210 |
| 500+ | NT$97.870 |
| 1000+ | NT$92.460 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMLT65R075M2HXTMA1复制
訂購代碼
複捲式4803617RL
條帶式包裝4803617
Product RangeCoolSiC G2 Series
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34.7A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.095ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins16Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation187W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34.7A
Drain Source On State Resistance
0.095ohm
No. of Pins
16Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
187W
Product Range
CoolSiC G2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001