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IMSQ120R040M2HHXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 57 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, HDSOP
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMSQ120R040M2HHXUMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4695752RL
條帶式包裝4695752
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱IMSQ120R040M2HH, SP005873534
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$611.770 | NT$611.77 |
| 總計 價格 | NT$611.77 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$611.770 |
| 5+ | NT$496.990 |
| 10+ | NT$382.200 |
| 50+ | NT$374.560 |
| 100+ | NT$366.920 |
| 250+ | NT$359.270 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMSQ120R040M2HHXUMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4695752RL
條帶式包裝4695752
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱IMSQ120R040M2HH, SP005873534
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id57A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.04ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins16Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation290W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
57A
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
No. of Pins
16Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 2 - 1 year
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
290W
Product Range
CoolSiC Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00001