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IMT40R011M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 144 A, 400 V, 0.0144 ohm, HSOF
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMT40R011M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4538824RL
條帶式包裝4538824
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
其他名稱IMT40R011M2H, SP005915790
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$585.900 | NT$585.90 |
| 總計 價格 | NT$585.90 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$585.900 |
| 5+ | NT$473.700 |
| 10+ | NT$361.500 |
| 50+ | NT$354.270 |
| 100+ | NT$347.040 |
| 250+ | NT$339.810 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMT40R011M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4538824RL
條帶式包裝4538824
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
其他名稱IMT40R011M2H, SP005915790
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id144A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0144ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation429W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
產品總覽
IMT40R011M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 8 pin HSOF package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 11.3mohm RDS(on), 144A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
144A
Drain Source On State Resistance
0.0144ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
429W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.000001