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IMT65R039M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 61 A, 650 V, 0.039 ohm, HSOF
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMT65R039M1HXUMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4228383RL
條帶式包裝4228383
Product RangeCoolSiC Trench Series
其他名稱IMT65R039M1H, SP005716838
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$361.590 | NT$361.59 |
| 總計 價格 | NT$361.59 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$361.590 |
| 5+ | NT$308.600 |
| 10+ | NT$255.610 |
| 50+ | NT$234.310 |
| 100+ | NT$213.010 |
| 250+ | NT$208.750 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMT65R039M1HXUMA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼
複捲式4228383RL
條帶式包裝4228383
Product RangeCoolSiC Trench Series
其他名稱IMT65R039M1H, SP005716838
技術資料表
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id61A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.039ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.7V
Power Dissipation263W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
61A
Drain Source On State Resistance
0.039ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.7V
Operating Temperature Max
175°C
MSL
MSL 2 - 1 year
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
263W
Product Range
CoolSiC Trench Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.001