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IMTA65R020M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 77 A, 650 V, 0.018 ohm, LHSOF
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMTA65R020M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4445608RL
條帶式包裝4445608
Product RangeCoolSiC G2 Series
其他名稱IMTA65R020M2H, SP005954481
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包裝選項
| 包裝類型 | 數量 | 單價: | 總計 |
|---|---|---|---|
| 條帶式包裝 | 1 | NT$471.770 | NT$471.77 |
| 總計 價格 | NT$471.77 | ||
條帶式包裝 & 複捲式
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$471.770 |
| 5+ | NT$401.120 |
| 10+ | NT$330.460 |
| 50+ | NT$301.850 |
| 100+ | NT$273.230 |
| 250+ | NT$267.770 |
品項附註
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMTA65R020M2HXTMA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼
複捲式4445608RL
條帶式包裝4445608
Product RangeCoolSiC G2 Series
其他名稱IMTA65R020M2H, SP005954481
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id77A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleLHSOF
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation416W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
77A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
LHSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
416W
Product Range
CoolSiC G2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00003