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| 10+ | NT$129.930 |
| 100+ | NT$96.100 |
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最少: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMW120R350M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼3223683
Product RangeCoolSiC
其他名稱IMW120R350M1H, SP001808376
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id4.7A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation60W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
4.7A
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
60W
Product Range
CoolSiC
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.00852