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IMW65R026M2HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 64 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMW65R026M2HXKSA1
訂購代碼4573830
Product RangeCoolSiC G2 Series
其他名稱IMW65R026M2H, SP006051134
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技術資料表
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$395.410 |
| 5+ | NT$358.700 |
| 10+ | NT$321.980 |
| 50+ | NT$295.180 |
| 100+ | NT$268.380 |
| 250+ | NT$238.810 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMW65R026M2HXKSA1
訂購代碼4573830
Product RangeCoolSiC G2 Series
其他名稱IMW65R026M2H, SP006051134
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id64A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.033ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
64A
Drain Source On State Resistance
0.033ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
227W
Product Range
CoolSiC G2 Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.010785