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IMW65R083M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 24 A, 650 V, 0.083 ohm, TO-247
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMW65R083M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼3889204
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱SP005423802, IMW65R083M1H
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMW65R083M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間54 週
訂購代碼3889204
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱SP005423802, IMW65R083M1H
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id24A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.083ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation104W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
24A
Drain Source On State Resistance
0.083ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
104W
Product Range
CoolSiC Series
技術文件 (1)
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.008448