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IMYH200R012M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 123 A, 2 kV, 0.0165 ohm, TO-247 Plus
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMYH200R012M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼4335359
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱SP005427368, IMYH200R012M1H
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| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$2,877.410 |
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| 10+ | NT$2,377.530 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMYH200R012M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼4335359
Product RangeCoolSiC Series
其他名稱SP005427368, IMYH200R012M1H
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id123A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0165ohm
Transistor Case StyleTO-247 Plus
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation552W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
123A
Drain Source On State Resistance
0.0165ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
TO-247 Plus
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
552W
Product Range
CoolSiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.002436