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IMYH200R100M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 A, 2 kV, 0.131 ohm, TO-247
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製造商INFINEON
製造商產品編號IMYH200R100M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼4349223
Product RangeCoolsiC Series
其他名稱IMYH200R100M1H, SP005427376
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| 5+ | NT$501.870 |
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| 50+ | NT$370.610 |
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMYH200R100M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼4349223
Product RangeCoolsiC Series
其他名稱IMYH200R100M1H, SP005427376
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.131ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.5V
Power Dissipation217W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolsiC Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.131ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
217W
Product Range
CoolsiC Series
技術文件 (1)
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：Malaysia
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.008788