列印頁面
IMZA65R107M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
圖片僅供舉例說明。 請參閱產品描述。
製造商INFINEON
製造商產品編號IMZA65R107M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼3500952
Product RangeCoolSiC M1
其他名稱IMZA65R107M1H, SP005398435
您的零件号
24 有存貨
需要更多？
24 件可于 3-4 個工作日後配送(英國 件庫存)
| 數量 | 價格 |
|---|---|
| 1+ | NT$238.220 |
| 10+ | NT$151.890 |
| 100+ | NT$143.290 |
| 500+ | NT$138.100 |
| 1000+ | NT$132.900 |
價格Each
最少: 1
多項: 1
NT$238.22
品項附註
僅針對此訂單新增至訂單確認、發票和出貨備註。
產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IMZA65R107M1HXKSA1复制
製造商標準前置時間52 週
訂購代碼3500952
Product RangeCoolSiC M1
其他名稱IMZA65R107M1H, SP005398435
技術資料表
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.107ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation75W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.107ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
75W
Product Range
CoolSiC M1
相關產品
找到 4 個產品
法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.008142