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IPA65R190E6XKSA1
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 20.2 A, 0.19 ohm, TO-220FP, Through Hole
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|---|---|
| 1+ | NT$133.530 |
| 10+ | NT$91.660 |
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| 500+ | NT$55.400 |
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最少: 1
多項: 1
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產品訊息
製造商INFINEON
製造商產品編號IPA65R190E6XKSA1复制
製造商標準前置時間17 週
訂購代碼2726041
其他名稱IPA65R190E6, SP000863904
技術資料表
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20.2A
Drain Source On State Resistance0.19ohm
Transistor Case StyleTO-220FP
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation34W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
技術規格
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20.2A
Transistor Case Style
TO-220FP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
34W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.19ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
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法規與環境保護
原產地：
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
承擔產品生產最後程序之國家原產地：China
承擔產品生產最後程序之國家
關稅編號：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
符合 RoHS 規定：是
RoHS
符合 RoHS 鄰苯二甲酸酯類規定:是
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
下載產品合規憑證
產品合規憑證
重量 (公斤)：.010433